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SPB11N60C3是MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK,包括CoolMOS C3系列,它们设计用于卷筒包装,零件别名显示在SP000013519 SPB11N60 C3ATMA1 SPB11N 60C3XT中使用的数据表注释中,该产品提供单位重量功能,例如0.13932盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及CoolMOS商品名,该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为125 W,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为5 ns,上升时间为5纳秒,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为11A,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为44ns,典型接通延迟时间为10ns,沟道模式为增强。
SPB-11是MARKER BOOK,包括10.240001盎司的单位重量,它们设计用于与导线标记器一起工作,书籍(穿孔)类型,温度范围如数据表注释所示,适用于0℃至+66℃,具有0.22“W x 1.37”L(5.6mm x 34.8mm)等尺寸特征,系列设计用于ScotchCode?SPB以及标记产品,该设备也可以用作05400749960 80610596993部件号别名。此外,每本书的包装为450,该设备采用乙烯基布材料,该设备具有2016/1/30的图例,功能装订在双折书中,颜色为白色,电缆直径为0.47“(11.9mm)。
SPB11N60,带有INFINEON制造的电路图。SPB11N60在TO-263封装中提供,是FET的一部分-单个。