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英飞凌的950 V CoolMOS P7技术旨在满足高压MOSFET领域日益增长的消费者需求，专注于低功耗SMPS市场，解决一系列应用，如照明、智能仪表、移动电话充电器或笔记本适配器，以及AUX电源和工业SMPS。950 V P7系列提供的阻断电压比其前身CoolMOS C3高50 V，在效率、热性能和易用性方面表现出色<strong>功能：</strong>卓越的FOM RDS（ON）*EOSS；Qg、CISS和COSS降低，DPAK RDS（ON）为450 mΩ，V（GS）th为3 V，最小V（GS）th变化为±0.5 V，集成齐纳二极管ESD保护达到2级（HBM），质量和可靠性高，与CoolMOS C3相比，效率增益高达1%，MOSFET温度低2°C至10°C，实现更高的功率密度设计，节省BOM，降低组装成本，易于驱动和设计，通过减少ESD相关故障提高产量，减少生产问题并减少现场回报，照明、智能仪表、充电器、适配器、AUX电源

特色

应用