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FDD3670是MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在数据表注释中，用于FDD3670_NL，提供单位重量功能，例如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为3.8 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为34A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为16ns，正向跨导最小值为31S，沟道模式为增强。
FDD3672是MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为59 ns，器件的漏极-源极电阻为28 mOhms，Pd功耗为135 W，零件别名为FDD3672_NL，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为44 A，下降时间为44 ns，配置为单一，通道模式为增强。
FDD3570是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK。FDD3570采用TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 80V 10A D-PAK、N沟道80V 10A（Ta）3.4W（Ta）、69W（Tc）表面安装TO-252、Trans MOSFET N-CH80V 43A 3-Pin（2+接线片）TO-252AA T/R。
