9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP140N4F6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STP140N4F6价格参考6.484美元。STMicroelectronics STP140N4F6封装/规格：MOSFET N沟道40V 80A TO220。您可以下载STP140N4F6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STP140N4F6价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STP13NM60ND是MOSFET N-CH 600V 0.32欧姆11A FDMesh II，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有109 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15.4 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为11 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.6ns，典型接通延迟时间为46.5ns，Qg栅极电荷为24.5nC。
STP13NM60N是MOSFET N-CH 600V 11A TO-220，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如3 ns，典型的关闭延迟时间设计为30 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为N沟道MDmesh系列，该器件的上升时间为8 ns，漏极电阻Rds为360 mOhms，Pd功耗为90 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，信道数为1信道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为11 A，下降时间为10 ns，配置为单一，通道模式为增强。
STP13NM50N是由STCHN制造的MOSFET N-CH 500V 12A TO-220。STP13NM50N在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 500V 12A TO-220、N沟道500V 12A（Tc）100W（Tc）通孔TO-220AB。
STP13NM70N采用ST制造的EDA/CAD模型。STP13MM70N采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
