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STP76NF75是MOSFET N沟道75 V。0095 80A STripFet 2，包括N沟道STripFet系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.011640盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-220-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有300 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为80 a，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds漏极源极导通电阻为11mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为25ns，沟道模式为增强型。
STP77N6F6是MOSFET N-Ch 60V 6.6mOhm 77A STripFET VI，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.011640盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，该器件也可以用作76nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为80W，器件采用管式封装，器件具有TO-220-3封装外壳，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为77 a。
STP77N65M5，带有ST制造的电路图。STP77N75M5采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
