该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。它已针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
特征
•1.4安培,150伏
•Rds(开)=425 mΩ@Vgs=10 V
•Rds(开)=475 mΩ@Vgs=6 V
•针对极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
•低栅极电荷(典型值为8nC)
•高功率和电流处理能力
•切换速度快
特色
- 1.4安培,150伏
- RDS(开启)=425 mΩ@VGS=10 V
- RDS(开启)=475 mΩ@VGS=6 V
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 低栅极电荷(典型值为8nC)
- 高功率和电流处理能力
- 快速切换速度
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。