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IRF3709SPBF是MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供120 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.2 ns，上升时间为171 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为90 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为10.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为27nC，沟道模式为增强。
IRF3709S是由IR制造的MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK。IRF3709可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH30V 90V D2PAK、N沟道30V 90B（Tc）3.1W（Ta）、120W（Tc。
IRF3709SLPBF，带有由IR制造的电路图。IRF3709MLPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
