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IRFSL3207ZPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 库存: 9000
  • 单价: ¥9.87932
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥9.88
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 75 V
  • 最大功耗 300W (Tc)
  • 供应商设备包装 TO-262
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 150A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 170 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 4.1毫欧姆 @ 75A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6920 pF @ 50 V
  • 样式 -

IRFSL3207ZPBF 产品详情

IRFSL3207ZPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRFSL3207ZPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRFSL3207ZPBF价格参考¥9.879316,你可以下载 IRFSL3207ZPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRFSL3207ZPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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