9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVD5413NT4G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVD5413NT4G参考价格为0.516美元。onsemi NVD5413NT4G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 30A DPAK。您可以下载NVD5413NT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVD5117PLT4G是MOSFET P-CH 60V 61A DPAK，包括NVD5117PL系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3、DPAK（2引线+标签）、SC-63以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的DPAK-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为4.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为4800pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为11A（Ta），61A（Tc），最大Id Vgs的Rds为16 mOhm@29A，10V，Vgs的最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为85nC@10V，Pd功耗为118 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为132 ns，上升时间为195ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-61A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Rds导通漏极-漏极电阻为16m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型导通延迟时间为22ns，Qg栅极电荷为85nC。
NVD4856NT4G是MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R，包括25V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作。晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性。系列设计用于NTD48566N，以及4.7 mOhms Rds漏极源极电阻，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为TO-252-3，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有89 a的Id连续漏电流。
NVD4815NT4G是ON公司制造的MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4。NVD4815NT 4G可提供TO-252-4、DPAK（3引线+标签）封装，是IC芯片的一部分，并支持MOSFET N-CH30V 6.9A-DPAK-4、N沟道30V 6.9V（Ta）、35A（Tc）1.26W（Ta），32.6W（Tc）表面贴装DPAK、Trans MOSFET N-CH20V 8.5A汽车3引脚（2+标签）DPAK T/R。
NVD5117LG带有ON制造的EDA/CAD型号。NVD5117LGTO-252封装，是IC芯片的一部分。
