9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR3911TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR3911TRPBF参考价格$9.0。Infineon Technologies IRFR3911TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 100V 14A DPAK。您可以下载IRFR3911TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR3910TRPBF是MOSFET N-CH 100V 16A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供52 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为15 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds漏极漏极-漏极电阻为115mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为6.4ns，Qg栅极电荷为29.3nC，沟道模式为增强。
IRFR3910TRLPBF是MOSFET N-CH 100V 16A DPAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作12.6毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为29.3 nC，该器件提供52 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为15 a。
IRFR3911带有由IR制造的电路图。IRFR391可在DPAK封装中获得，是FET的一部分-单个。
