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IRLR024TRPBF是MOSFET N-CH 60V 14A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为110 ns，Vgs栅源电压为10 V，Id连续漏电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为11ns，沟道模式为增强。
IRLR024Z是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 16A DPAK。IRLR024Z可提供TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 16A DPAK。
IRLR024ZPBF是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 16A DPAK。IRLR024 ZPBF可提供TO-252-3，DPAK（2引线+标签），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH55V 16A DPAK，Trans-MOSFET N-CH-Si 55V 16A 3-Pin（2+标签）DPAK。
