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FDC637AN-NB5E023A

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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 技术 -
  • 场效应管类型 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功耗 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 供应商设备包装 -
  • 包装/外壳 -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 样式 -
  • 色彩/颜色 Yellow

FDC637AN-NB5E023A 产品详情

该N沟道2.5V指定MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,以实现优异的开关性能。与更大的SO-8和TSSOP-8封装相比,这些器件被设计为以非常小的占地面积提供卓越的功耗。

特色

  • 6.2安培,20伏 RDS(开启)=0.024Ω@VGS=4.5 V RDS(开启)=0.032Ω@VGS=2.5 V
  • 切换速度快。
  • 低栅极电荷(典型值为10.5nC)。
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术。
  • 超级SOT™ -6包装:占地面积小(比标准SO-8小72%);低轮廓(1mm厚)。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC637AN-NB5E023A所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC637AN-NB5E023A 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC637AN-NB5E023A价格参考¥54.032034,你可以下载 FDC637AN-NB5E023A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC637AN-NB5E023A规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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