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FDD5680

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥49.65732
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥49.66
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 TO-252AA
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 46 nC @ 10 V
  • 最大功耗 2.8W(Ta)、60W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 8.5A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@8.5A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1835 pF@30 V

FDD5680 产品详情

该N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低导通电阻,同时保持低栅极电荷,以实现优异的开关性能。

特色

  • 38安培,60伏特
  • RDS(开启)=21 mΩ@VGS=10 V
  • RDS(开启)=25 mΩ@VGS=6 V
  • 低栅极电荷(典型值为33nC)
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS的高性能沟槽技术(开启)

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDD5680所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDD5680 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDD5680价格参考¥49.657322,你可以下载 FDD5680中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDD5680规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

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