特色
- 38安培,60伏特
- RDS(开启)=21 mΩ@VGS=10 V
- RDS(开启)=25 mΩ@VGS=6 V
- 低栅极电荷(典型值为33nC)
- 快速切换速度
- 用于极低RDS的高性能沟槽技术(开启)
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
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