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IRFR13N15DPBF是MOSFET N-CH 150V 14A DPAK,包括管封装,它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能,技术设计为在Si中工作,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,该器件提供86 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为11 ns,上升时间为26 ns,Vgs栅极-源极电压为30 V,Id连续漏极电流为14 A,Vds漏极-源极击穿电压为150V,Vgs栅极-源极阈值电压为3V至5.5V,Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为12ns,典型接通延迟时间为8ns,Qg栅极电荷为19nC,正向跨导最小值为5S,沟道模式为增强。
IRFR130A是FSC制造的MOSFET N-CH 100V 13A DPAK。IRFR130A采用TO-252-3、DPak(2引线+接线片)、SC-63封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 100V 13A DPak。
IRFR13N15D,带有由IR制造的电路图。IRFR13N1 5D采用TO-252封装,是IC芯片的一部分。