这个英飞凌科技 光学MOS™ P沟道功率MOSFET设计用于提供满足质量性能的增强功能。其特点包括超低开关损耗、导通电阻、雪崩额定值以及AEC认证的汽车解决方案。应用包括直流-直流、电机控制、汽车和电动汽车。
增强模式
雪崩等级
低开关和传导功率损耗
无铅铅镀层;符合RoHS
标准包装
光学MOS™ P通道系列:温度范围从-55°C到+175°C
起订量: 1
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这个英飞凌科技 光学MOS™ P沟道功率MOSFET设计用于提供满足质量性能的增强功能。其特点包括超低开关损耗、导通电阻、雪崩额定值以及AEC认证的汽车解决方案。应用包括直流-直流、电机控制、汽车和电动汽车。
增强模式
雪崩等级
低开关和传导功率损耗
无铅铅镀层;符合RoHS
标准包装
光学MOS™ P通道系列:温度范围从-55°C到+175°C
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。