9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRLR3717TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLR3717TRPBF参考价格为0.606美元。Infineon Technologies IRLR3717TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 20V 120A DPAK。您可以下载IRLR3717TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLR3717PBF是MOSFET N-CH 20V 120A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供89 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为120 A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.55V至2.45V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为5.8ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为21nC，正向跨导最小值为49S，并且信道模式是增强。
IRLR3717TRLPBF是MOSFET MOSFT 20V 120A 21nC 4.2mOhm Qg log lvl，包括2.45 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，该器件也可以用作14ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为4 mOhm，器件提供31 nC Qg栅极电荷，器件具有89 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏极电流为120 a，正向跨导Min为49S，下降时间为16ns，配置为Single。
IRLR3717带有由IR制造的电路图。IRLR371采用TO-252-2封装，是FET的一部分-单个。
