9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDN337N-F169，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDN337N-F169参考价格为0.776美元。onsemi FDN337N-F169封装/规格：MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3。您可以下载FDN337N-F169英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDN337N是MOSFET N-CH 30V 2.2A SSOT3，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于FDN337N_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001058盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SuperSOT-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为460mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为300pF@10V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为2.2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为65 mOhm@2.2A，4.5V，Vgs的最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9nC@4.5V，Pd功耗为500 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为2.2A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为65mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型导通延迟时间为4ns，正向跨导最小值为13S，信道模式是增强。
FDN337N_NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDN337N_NL在SOT23封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDN337-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDN337-NL采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
FDN337N-NL，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FDN337N-NL采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
