9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPI08N50C3HKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPI08N50C3HKSA1参考价格$4.366。Infineon Technologies SPI08N50C3HKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 7.6A TO262-3。您可以下载SPI08N50C3HKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SPI08N50C3HKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SPI07N60C3是MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000680976 SPI07N6OC3HKSA1 SPI07N60X3XK SPI07N63C3XKSA1，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns，上升时间为3.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.3A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为600m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为6ns，沟道模式为增强。
带有用户指南的SPI07N60C3XKSA1，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.073511盎司单位重量下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于CoolMOS以及Si技术，该器件也可作为SPI07N60系列使用。此外，Rds漏极源极电阻为600 mOhms，该器件以SP000680976 SPI07N60C3 SPI07N6OC3XK零件别名提供，该器件具有封装管，封装外壳为TO-262-3，通道数为1通道，Id连续漏极电流为7.3 a。
SPI07N65C3是INFINEON制造的MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262。SPI07N65C3采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262。
SPI08N50C3是INFINEON制造的MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262。SPI08N50C3采用TO-262-3长引线、I²Pak、TO-262AA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-262。
