IPAN60R800CEXKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 库存: 9000
- 单价: ¥66.30151
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- +
- 总计: ¥66.30
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 TO-220-3全套
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 供应商设备包装 PG-TO220-FP
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 场效应管特性 超级结
- 漏源电流 (Id) @ 温度 8.4A (Tc)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17.2 nC@10 V
- 最大功耗 27W(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 800毫欧姆 @ 2A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@170A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 373 pF @ 100 V
IPAN60R800CEXKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPAN60R800CEXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPAN60R800CEXKSA1价格参考¥66.301507,你可以下载 IPAN60R800CEXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPAN60R800CEXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。