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IRF6802SDTRPBF是MOSFET 2N-CH 25V 16A SA,包括磁带和卷轴(TR)封装,它们设计用于SMD/SMT安装样式,产品名称显示在数据表注释中,用于DirectFET,提供封装外壳功能,如DirectFET?Isometric SA,Technology设计用于Si,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),该设备也可以用作表面安装型。此外,信道数为2信道,该设备采用DIRECTFET?SA供应商设备包,该设备具有双重配置,FET类型为2 N通道(双重),最大功率为1.7W,晶体管类型为2 N-通道,漏极至源极电压Vdss为25V,输入电容Cis Vds为1350pF@13V,FET特性为逻辑电平门,电流连续漏极Id 25°C为16A,最大Id Vgs为4.2mOhm@16A,10V,Vgs最大Id为2.1V@35μA,栅极电荷Qg-Vgs为13nC@4.5V,Pd功耗为1.7W,Id连续漏极电流为16A,Vds漏极-源极击穿电压为25V,漏极-漏极电阻为4.5m欧姆,晶体管极性为N沟道。
IRF6802SDTR1PBF是MOSFET 2N-CH 25V 16A SA,包括2.1V@35μ?SA供应商设备包系列如数据表注释所示,用于HEXFETR,该设备提供Rds on Max Id Vgs功能,如4.2mOhm@16A,10V,Power Max设计为1.7W,以及Digi-ReelR备用封装,该设备也可以用作DirectFET?等距SA封装外壳,其工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),该器件为表面安装安装型,该器件具有1350pF@13V输入电容Ciss Vds,栅极电荷Qg Vgs为13nC@4.5V,FET类型为2 N沟道(双),FET特性为逻辑电平门,漏极至源极电压Vdss为25V,25°C的电流连续排放Id为16A。
IRF6810STRPFF是MOSFET DirectFET,包括16 A Id连续漏极电流,它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于DirectFET-4的封装情况,该DirectFET-4提供了卷盘、Pd功耗等封装功能,设计为工作在2.1 W,以及5.6 mOhms Rds漏极源极电阻,该器件也可以用作Si技术。此外,商品名为DirectFET,该器件提供N沟道晶体管极性,该器件具有25 V的Vds漏极-源极击穿电压。