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IRF6811STR1PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、74A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFET平方 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥37.21402
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥37.21
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
  • 包装/外壳 DirectFET等距SQ
  • 供应商设备包装 DIRECTFET平方
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1590 pF@13 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 19A(Ta)、74A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 3.7毫欧姆 @ 19A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@35A.
  • 最大功耗 2.1W(Ta)、32W(Tc)
  • 样式 -

IRF6811STR1PBF 产品详情

IRF6811STR1PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF6811STR1PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF6811STR1PBF价格参考¥37.214020,你可以下载 IRF6811STR1PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF6811STR1PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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