9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的SPI11N60C3HKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SPI11N60C3HKSA1参考价格为10.147934美元。Infineon Technologies SPI11N60C3HKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3。您可以下载SPI11N60C3HKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SPI11N60C3是MOSFET N-Ch 600V 11A I2PAK-3 CoolMOS C3，包括CoolMOS C3-系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000680986 SPI11N6OC3HKSA1 SPI11N60X3XK SPI11N63C3XKSA1，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns，上升时间为5纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为44ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
SPI08N80C3是MOSFET N-CH 800V 8A TO-262，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.084199盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为15 ns，Rds漏极-源极电阻为650 mOhms，Pd功耗为104 W，零件别名为SP000683148 SPI08N80C3XK SPI08N8OC3XKSA1，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8 A，下降时间为7 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPI08N80C3XKSA1是MOSFET N-Ch 800V 8A I2PAK-3 CoolMOS C3，包括TO-262-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于SP000683148 SPI08N8OC3 SPI08N80X3XK的零件别名，该产品提供XPI08N80等系列功能，技术设计用于Si以及CoolMOS商品名。
带有INFINEON制造的EDA/CAD模型的SPI11N60C2。SPI11N60C2采用TO-262封装，是IC芯片的一部分。
