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IRF6811STRPBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET-6，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单双漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供32 W Pd功耗，器件具有16 V Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为74 a，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds漏极源极电阻为5.4 mΩ，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为11 nC。
IRF6893MTRPBF是MOSFET 25V X2.0 DLM同步FETKY，包括25 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供Si、Rds漏极源极电阻等技术特性，设计为工作在1.6 mOhms，以及2.1 W Pd功耗，该装置也可以用作卷筒包装。此外，封装外壳为DirectFET-3，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有29 a的Id连续漏电流。
IRF6892STRPBF是MOSFET N CH 25V 28A S3，包括卷轴封装，它们设计为使用硅技术操作，产品名称显示在数据表注释中，用于DirectFET。
