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IRF6100PBF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Ta) 最大功耗: 2.2W(Ta) 供应商设备包装: 4-FlipFet 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥75.61588
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥75.62
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.1A (Ta)
  • 最大功耗 2.2W(Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1230 pF@15 V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 5.1A, 4.5V
  • 供应商设备包装 4-FlipFet
  • 包装/外壳 4-FlipFet

IRF6100PBF 产品详情

国际整流器公司提供真正的芯片级封装。通过使用先进的加工技术和独特的封装理念,电池和负载管理应用中的导通电阻极低,功率密度最高。这些优点,加上国际整流器公司众所周知的加固设备设计,为设计师提供了一种极其高效和可靠的设备。

每个占地面积的超低RDS(开启)
低热阻
P沟道MOSFET
SOT-23的三分之一足迹
超低轮廓(<.8mm)
可在磁带和卷轴上测试
无铅

 

IRF6100PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF6100PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF6100PBF价格参考¥75.615876,你可以下载 IRF6100PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF6100PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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