9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF7476TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF7476TRPBF参考价格为19.584美元。Infineon Technologies IRF7476TRPBF封装/规格：IRF7476-12V-300V N信道POW。您可以下载IRF7476TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF7476PBF是MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC，包括管封装，它们设计为以0.019048盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOIC-8，技术设计为在Si中工作，以及2信道数量的信道，该器件也可以用作单四漏三源配置。此外，晶体管类型为2 N沟道，器件提供2.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.3 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为15 A，Vds漏极-源极击穿电压为12V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为26nC，正向跨导Min为31S，沟道模式为增强。
IRF7475TRPBF是MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC，包括2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作33ns上升时间。此外，Rds漏极-源极电阻为15 mOhm，器件提供19 nC Qg栅极电荷，器件具有2.5 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为11 a，正向跨导Min为22S，下降时间为7.5ns，配置为Single。
IRF7476是由IOR制造的MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC。IRF7476采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 12V 15A 8-SOIC，N沟道12V 15A（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
