9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6898MTR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6898MTR1PBF参考价格为6.326美元。Infineon Technologies IRF6898MTR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET。您可以下载IRF6898MTR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6894MTRPBF是MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DIRECTFET，提供封装外壳功能，如DIRECTFET-7，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该器件也可以用作单双漏双源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供54 W Pd功耗，器件具有16 V Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为170 a，Vds漏极-源极击穿电压为25 V，Rds漏极源极电阻为1.7 mΩ，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为29 nC。
IRF6894MTR1PBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 1.3mOhms 26nC，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作29nC Qg栅极电荷。此外，Pd功耗为54 W，该器件采用卷筒封装，该器件具有封装盒的DirectFET-7，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为170 a，配置为单双漏双源。
IRF6893MTRPBF是MOSFET 25V X2.0 DLM同步FETKY，包括29 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于DirectFET-3的封装情况，DirectFET-3提供了卷盘、Pd功耗等封装功能，设计为工作在2.1 W，以及1.6 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为DirectFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有25 V的Vds漏极-源极击穿电压。
IRF6892STRPBF是MOSFET N CH 25V 28A S3，包括Si技术，它们设计用于卷筒包装，商品名称显示在数据表注释中，用于DirectFET。
