9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS4465-PG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS4465-PG参考价格为2.664美元。onsemi FDS4465-PG封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8SOIC。您可以下载FDS4465-PG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDS4465是MOSFET P-CH 20V 13.5A 8-SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，零件别名如数据表注释所示，用于FDS4465_NL，提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SOIC，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为8237pF@10V，FET特性为逻辑电平门，1.8V驱动，电流连续漏极Id 25°C为13.5A（Ta），最大Id Vgs的Rds为8.5mOhm@13.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为120nC@4.5V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为140纳秒，上升时间为24纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为13.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Rds漏极源极电阻为8.5毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为300纳秒，典型接通延迟时间为20ns，正向跨导最小值为70S，信道模式为增强。
FDS4450-NL，带有FAIRCHILD制造的用户指南。FDS4450-NL采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
FDS4463，带有FAI制造的电路图。FDS4463采用SOP8L封装，是IC芯片的一部分。
