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IRF6718L2TRPBF是MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 0.7mOhms 64nC，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装样式，商品名显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供封装外壳功能，如DirectFET-7，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供4.3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为53 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为270 A，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为67ns，Qg栅极电荷为64nC，正向跨导最小值为820S。
IRF6717MTRPBF是MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在25 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性功能，如N沟道、商品名设计用于DIRECTFET以及Si技术，该器件也可以用作1.6mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为46 nC，该器件提供96 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为DirectFET-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为220 a。
IRF6721STRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SQ，包括60 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供封装外壳功能，如DIRECTFET-2，封装设计用于卷筒，以及42 W Pd功耗，该器件也可以用作11nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为8.5 mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
IRF6722MTRPBF是MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 7.7mOhms 11nC，包括SMD/SMT安装类型，它们设计为使用Si技术操作，包装如数据表注释所示，用于卷轴，提供晶体管极性特性，如N沟道，封装外壳设计用于DirectFET-3，以及8 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件也可以用作56A Id连续漏电流。此外，Pd功耗为42 W，器件提供30 V Vds漏极-源极击穿电压，器件具有20 V Vgs栅极-源极电压，Qg栅极电荷为11 nC，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道。
