9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF8306MTR1PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF8306MTR1PBF参考价格为0.226美元。Infineon Technologies IRF8306MTR1PBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET。您可以下载IRF8306MTR1PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF8301MTRPBF带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，产品名称显示在数据表注释中，用于DirectFET，提供DirectFET-7等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为17 ns，上升时间为30 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为192 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为51nC，正向跨导Min为150S。
IRF8302MTRPBF是MOSFET N-CH 30V 31A MX，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.019048盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及DirectFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，Rds漏极-源极电阻为2.7mOhm，器件提供35nC Qg栅极电荷，器件具有104W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为SOIC-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为190A，配置为单通道。
IRF8304MTRPBF是MOSFET 30V N沟道HEXFET功率MOSFET，包括170 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于1沟道的沟道数量，该沟道提供封装外壳功能，如Micro-8，封装设计为在卷筒中工作，以及100 W Pd功耗，该器件也可以用作28nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为3.2mOhm，该器件采用Si技术，该器件具有商品名的DirectFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，Vds漏极源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
