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SPI15N65C3HKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥21.71421
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21.71
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 650 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 63 nC @ 10 V
  • 包装/外壳 TO-262-3长引线,我巴基斯坦,TO-262AA
  • 最大功耗 156W(Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 PG-TO262-3-1
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1600 pF @ 25 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 280毫欧姆@9.4A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 675A

SPI15N65C3HKSA1 产品详情

SPI15N65C3HKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SPI15N65C3HKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SPI15N65C3HKSA1价格参考¥21.714214,你可以下载 SPI15N65C3HKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SPI15N65C3HKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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