9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB25NF06AG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB25NF06AG参考价格为1.66美元。STMicroelectronics STB25NF06AG封装/规格：MOSFET N-CH 60V 19A D2PAK。您可以下载STB25NF06AG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB24NM65N是MOSFET N-CH 650V 19A D2PAK，包括N沟道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有160 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为19 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为160mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为14S，沟道模式为增强。
带有用户指南的STB24N65M2，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，具有0.13932 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为10 ns，以及68 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为MDmesh M2系列，该器件的上升时间为9.5 ns，漏极-源极电阻Rds为185 mOhms，Qg栅极电荷为29 nC，Pd功耗为150 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为16 A，下降时间为25.5 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STB24N60M2是MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK，包括61 ns的下降时间，它们设计为在18 a Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，封装为Reel，器件提供150W Pd功耗，器件具有29nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为190mOhms，上升时间为9ns，串联为MDmesh M2，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型的导通延迟时间为14ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V。
STB24NM60N是MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK，包括TO-252-3封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了卷盘等封装功能，系列设计用于N沟道MDmesh，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作600V Vds漏极-源极击穿电压。此外，Qg栅极电荷为46nC，该器件在37ns的下降时间内提供，该器件具有30V的Vgs栅极-源极电压，第Vgs栅极源极阈值电压为3V，Id连续漏极电流为17A，Rds漏极-源极电阻为168mOhm，上升时间为16.5ns，Pd功耗为125W，晶体管类型为1N沟道，通道数为1通道，单位重量为0.13932盎司。
