9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP3100L-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP3100L-7参考价格为10.162美元。Diodes Incorporated DMP3100L-7封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3。您可以下载DMP3100L-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP3099L-13是MOSFET P-Ch ENH FET-30V 65mOhm-10V-3.8A，包括DMP3099系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.08 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-3.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1 V，Rds漏极源极电阻为65 mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为31 ns，典型开启延迟时间为4.8 ns，Qg栅极电荷为11 nC，沟道模式为增强。
DMP3099L-7是MOSFET P-CH 30V SOT23，包括-1V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅-源电压下工作，Vds漏-源击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.000282 oz，典型开启延迟时间设计为4.8 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有DMP3099系列，上升时间为5ns，漏极源极电阻Rds为65mOhms，Qg栅极电荷为11nC，Pd功耗为1.08W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-3，通道数为1沟道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-3.8 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP3100L是由DOIDES制造的MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3。DMP3100L有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3。
