9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSL303SPEH6327XTSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSL303SPEH6327XTSA1参考价格为0.18000美元。Infineon Technologies BSL303SPEH6327XTSA1封装/规格：MOSFET P-CH 30V 6.3A TSOP-6。您可以下载BSL303SPEH6327XTSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BSL302SNH6327XTSA1带有引脚细节，包括卷筒包装，它们设计为与BSL302SN H6327 SP001100662零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如TSOP-6，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供2 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1.9 ns，上升时间为2.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为25mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13.7ns，典型接通延迟时间为6.4ns，Qg栅极电荷为4.4nC，沟道模式为增强。
BSL302SN L6327是MOSFET N-Ch 30V 7.1A TSOP-6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如6.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为13.7 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为BSL302系列，该器件的上升时间为2.8 ns，漏极-源极电阻Rds为25 mOhms，Pd功耗为2 W，零件别名为BSL302SNL6327HTSA1 SP000257783，封装为卷轴，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7.1 A，下降时间为1.9 ns，配置为单四漏，通道模式为增强。
BSL302SNL6327，电路图由SON/INFINEON制造。BSL302SNL6327在TSOP-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
