9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW47NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW47NM60ND参考价格为4.152美元。STMicroelectronics STW47NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 35A TO247。您可以下载STW47NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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STW46NF30带有引脚细节，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装样式功能，商品名设计用于STripMOSFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为300 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为38 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为42A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为63mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为90nC，沟道模式为增强。
STW47NM50带有ST制造的用户指南。STW47NM50采用TO-3P封装，是IC芯片的一部分。
STW47NM60是由ST制造的MOSFET N-CH 600V 35A TO-247。STW47NM60以TO-247-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 35A TO-247。
