9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPD60R650CEBTMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPD60R650CEBTMA1参考价格$4.12。Infineon Technologies IPD60R650CEBTMA1封装/规格：MOSFET N-CH 600V 7A TO252-3。您可以下载IPD60R650CEBTMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如IPD60R650CEBTMA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPD60R520C6是MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于卷盘封装。IPD60R5 20C6BTMA1 IPD60C520C6XT SP000645070中使用的数据表注释中显示了零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.139332盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为66W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为14ns，上升时间为10ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.1A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为23.4nC，沟道模式为增强。
IPD60R520C6ATMA1带有用户指南，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供CoolMOS等商品名功能，技术设计用于Si，以及IPD60R5 20C6SP001117722零件别名，该装置也可以用作卷筒包装。此外，包装箱为TO-252-3，该设备提供1信道数信道。
IPD60R520CP，带有INFINEON制造的电路图。IPD60R520CP采用TO-252封装，是FET的一部分-单体。
