9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPU50R2K0CEAKMA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPU50R2K0CEAKMA1参考价格为0.14000美元。Infineon Technologies IPU50R2K0CEAKMA1封装/规格：MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251-3。您可以下载IPU50R2K0CEAKMA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPU50R1K4CE是MOSFET N-Ch 500V 3.1A IPAK-3，包括IPU50R1系列，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU50R1K4CEBKMA1 SP001022958的零件别名，该产品提供了安装类型功能，如通孔、封装盒设计用于PG-TO251以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为1 N沟道，该器件为1 N型沟道晶体管，该器件具有25 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为6.5ns，Qg栅极电荷为8.2nC，沟道模式为增强。
IPU50R1K4CEBKMA1，带有用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供0.012102盎司等单位重量功能，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为IPU50R1系列，该器件具有1.4欧姆Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为8.2 nC，Pd功耗为25 W，零件别名为IPU50 R1K4CE SP001022958，封装为管，封装盒为TO-251-3，通道数为1通道，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3.1 A。
带有电路图的IPU50R1K4CEAKMA1，包括TO-251-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU50R1 K4CE SP001396810的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
IPU14N03LA，带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPU14N03LA采用TO-251封装，是IC芯片的一部分。
