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BS7067N06LS3G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥24.43755
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥24.44
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 62 nC @ 10 V
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14A(Ta)、20A(Tc)
  • 供应商设备包装 PG-TSDSON-8
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.7毫欧姆 @ 20A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@35A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4800 pF @ 30 V
  • 最大功耗 2.1W(Ta)、78W(Tc)
  • 样式 -

BS7067N06LS3G 产品详情

BS7067N06LS3G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),BS7067N06LS3G 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BS7067N06LS3G价格参考¥24.437545,你可以下载 BS7067N06LS3G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BS7067N06LS3G规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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