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IPU50R1K4CEBKMA1带有引脚细节，包括IPU50R1系列，它们设计用于管式包装，零件别名如数据表注释所示，用于IPU50R1K4CE SP001022958，提供0.012102盎司等单位重量功能，商品名设计用于CoolMOS，以及to-251-3包装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有25W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为500 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为3V，漏极-源极电阻Rds为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为8.2nC。
IPU50R2K0CEBKMA1，带有用户指南，包括3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供0.012102盎司等单位重量功能，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件为IPU50R2系列，该器件具有2欧姆Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为6 nC，Pd功耗为22 W，零件别名为IPU50 R2K0CE SP001053984，封装为管，封装外壳为TO-251-3，通道数为1通道，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为2.4 A。
带有电路图的IPU50R2K0CEAKMA1，包括TO-251-3封装盒，它们设计用于管式封装，数据表注释中显示了用于IPU50R2 K0CE SP001396816的零件别名，该产品提供Si等技术特性。
