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IPU50R3K0CEBKMA1带有引脚细节,包括IPU50R3系列,它们设计用于管式包装,零件别名如数据表注释所示,用于IPU50R4K0CE SP001022960,提供单位重量功能,如0.012102盎司,商品名设计用于CoolMOS,以及to-251-3包装盒,该设备也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件为1 N信道晶体管类型,该器件具有18W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Id连续漏电流为1.7 a,Vds漏极-源极击穿电压为500 V,Vgs第栅极-源极阈值电压为3V,Rds漏极-源极电阻为3欧姆,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为4.3nC。
IPU50R950CE是MOSFET N-Ch 500V 12.8A IPAK-3,包括500 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作,晶体管极性如数据表注释所示,用于N沟道,提供Si等技术特性,系列设计用于IPU50R750以及IPU50R850CEBKMA1 SP001022956部件别名,该装置也可以用作管包装。此外,信道数为1信道。
IPU50R3K0CEAKMA1带有电路图,包括TO-251-3封装盒,它们设计用于管式封装,数据表注释中显示了用于IPU50R4K0CE SP001396836的零件别名,该产品提供Si等技术特性。