9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMS3014SFG-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMS3014SFG-13参考价格为5.788美元。Diodes Incorporated DMS3014SFG-13封装/规格：MOSFET N-CH POWERDI3333-8。您可以下载DMS3014SFG-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMS240125-P5P-IC，带引脚细节，包括多叶片输入型，其工作温度范围为0°C~40°C，尺寸尺寸如数据表注释所示，适用于4.24英寸长x 2.27英寸宽x 1.32英寸高（107.7毫米x 57.7毫米x 33.5毫米），提供ITE（商用）等应用功能，功率瓦设计为30瓦，以及90~264伏交流电压输入，该设备也可用作最大1.25A电流输出。此外，电压输出为24V，设备提供正中心极化，设备具有壁装形式，效率为75%，输出连接器为筒形插头，2.1mm内径x 5.5mm外径x 9.5mm。
DMS3012SFG-13是MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.002540盎司单位重量下工作，晶体管极性显示在数据表注释中，用于N沟道，提供DIOFET等商品名功能，技术设计用于Si，以及DMS30系列，该器件也可以用作15毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷筒式，该设备采用PowerDI-3333封装盒，该设备具有安装式SMD/SMT，Id连续漏电流为12A。
DMS3012SFG-7是MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333-8，包括12 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，数据表说明中显示了用于PowerDI-3333的封装盒，该封装盒提供了卷盘、Rds漏极电阻等封装功能，设计为工作在15 mOhms，以及DMS30系列，该器件也可以用作Si技术。此外，商品名为DIOFET，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件的单位重量为0.002540盎司，Vds漏极-源极击穿电压为30 V。
