特色
- 下部RDS（打开）
- 降低VDS（打开）
- 降低和收紧VSD
- 下二极管反向恢复时间
- 较低的反向恢复存储电荷
- AEC−Q101合格和PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- 电源
- 转换器
- 动力电机控制
- 桥接电路
（图片：引出线）
NVD3055-150T4G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta） 最大功耗: 28.8W (Ta) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥49.44004
-
数量:
- +
- 总计: ¥49.44
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15 nC@10 V
- 供应商设备包装 DPAK
- 漏源电流 (Id) @ 温度 9A（Ta）
- 部件状态 过时的
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 280 pF@25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 150欧姆@4.5A，10V
- 最大功耗 28.8W (Ta)
NVD3055-150T4G 产品详情
汽车功率MOSFET设计用于电源、转换器、电机控制和桥接电路中的低压、高速开关应用。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVD3055-150T4G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVD4C05NT4G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH 30V DPAK-3 | ¥3.57691 |
| NVDLOCK-013 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥0.361 |
| NVDLOCK-002 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥1.11193 |
| NVDLOCK-005 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥0.13573 |
| NVDLOCK-001 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥0.78859 |
| NVDLOCK-017 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥1.01444 |
| NVDLOCK-006 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥0.77645 |
| NVDLOCK-012 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥0.2512 |
| NVDLOCK-007 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥1.11097 |
| NVDLOCK-011 | 泛达 (Panduit) | ACCY DOOR LOCK NET VERSE KEYED | ¥61.18512 |
NVD3055-150T4G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVD3055-150T4G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVD3055-150T4G价格参考￥49.440035，你可以下载 NVD3055-150T4G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVD3055-150T4G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
