NVD5117PLT4G

规格参数

• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 场效应管类型 P-通道
• 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
• 供应商设备包装 DPAK
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 85 nC @ 10 V
• 部件状态 过时的
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4800 pF @ 25 V
• 漏源电流 (Id) @ 温度 11A（Ta）、61A（Tc）
• 导通电阻 Rds(ON) 16毫欧姆@29A，10V
• 最大功耗 4.1W (Ta), 118W (Tc)