9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FD70N20PWD，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FD70N20PWD参考价格$7.862。onsemi FD70N20PWD封装/规格：MOSFET N-CH 200V 70A TO3P。您可以下载FD70N20PWD英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FD6M043N08是MOSFET 2N-CH 75V 65A EPM15，包括功率SPM？系列，它们设计用于管包装，包装盒如数据表注释所示，用于EPM15，其工作温度范围为-40°C~150°C（TJ），安装类型设计用于通孔，以及EPM15供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，漏极到源极电压Vdss为75V，该器件提供6180pF@25V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C时电流连续漏极Id为65A，最大Id Vgs的Rds为4.3mOhm@40A，10V，Vgs最大Id为4V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为148nC@10V。
FD6M045N06是MOSFET 2N-CH 60V 60A EPM15，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与EPM15供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于功率SPM？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如4.5 mOhm@40A，10V，包装设计用于管，以及EPM15包装盒，其工作温度范围为-40°C ~ 150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供3890pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有87nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为60A。
FD700是DIODE GEN PURP 20V 50MA DO7，包括1pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于50MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于50nA@20V，提供标准等二极管类型功能，其工作温度结范围为175°C（最大值），以及700ns反向恢复时间trr，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，直流反向电压Vr最大值为20V，该设备提供1.1V@50mA正向电压Vf最大值If。
FD7000，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。FD7000在SOP包中提供，是光纤接收器的一部分。
