9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDA79N15，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDA79N15参考价格为1.478美元。onsemi FDA79N15封装/规格：MOSFET N-CH 150V 79A TO3PN。您可以下载FDA79N15英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDA69N25是MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P，包括UniFET？系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.225789盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-3P-3、SC-65-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-3PN，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为480W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为250V，输入电容Cis-Vds为4640pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为69A（Tc），最大Id Vgs的Rds为41 mOhm@34.5A，10V，Vgs的最大Id为5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为100nC@10V，Pd功耗为480 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为220 ns，上升时间为885ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为69A，Vds漏极-源极击穿电压为250V，Rds导通漏极-漏极电阻为41mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型导通延迟时间为95ns，沟道模式为增强型。
FDA70N20是MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.225789盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如71 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为235 ns，器件的漏极-源极电阻为35 mOhms，Pd功耗为417W，零件别名为FDA70N20_NL，封装为管，封装外壳为TO-3P-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为39 ns，配置为单一，通道模式为增强。
FDA62N28是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P。FDA62N28以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH 280V 62A TO-3P、N沟道280V 62B（Tc）500W（Tc）通孔TO-3PN、Trans MOSFET N-CH280V 62C 3-Pin（3+Tab）TO-3P导轨。
FDA75N28是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P。FDA75N28以TO-3P-3、SC-65-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 280V 75A TO-3P、N沟道280V 75B（Tc）520W（Tc）通孔TO-3PN。
