9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB3672，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB3672参考价格为3.076美元。onsemi FDB3672封装/规格：MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263。您可以下载FDB3672英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB3632_F085带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.046296盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供310 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为46 ns，上升时间为39 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为80 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为7.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为84nC。
FDB3652是MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.046296盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为85 ns，器件的漏极-源极电阻为14 mOhms，Pd功耗为150 W，零件别名为FDB3652_NL，封装为卷轴，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为61A，下降时间为45ns，配置为单一，通道模式为增强。
带有电路图的FDB3652_F085，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了45 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如61 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，Pd功耗为150 W，Rds漏极-源极电阻为16 mOhms，上升时间为85 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为26 ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.046296oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为20V。
