9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP50R520CPXKSA1,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP50R520CPXKSA1参考价格0.67000美元。Infineon Technologies IPP50R520CPXKSA1封装/规格:MOSFET N-CH 500V 7.1A TO220-3。您可以下载IPP50R520CPXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如IPP50R520CPXKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
IPP50R520CP是MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220,包括CoolMOS CP系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPP50R420CPHKSA1 IPP50R5 20CPXK IPP50R120CPXKSA1 SP000680944,提供单位重量功能,如0.211644盎司,安装样式设计用于通孔,以及CoolMOS商品名,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为66W,其最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为17ns,上升时间为14ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为7.1A,Vds漏极-源极击穿电压为500V,Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为80ns,典型接通延迟时间为35ns,沟道模式为增强。
IPP50R500CE是MOSFET N-Ch 500V 7.6A TO220-3 CoolMOS CE,包括20 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在500 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.211644盎司,提供晶体管类型功能,如1 N沟道,晶体管极性设计为在N沟道工作,以及CoolMOS商标,该器件也可以用作Si技术。此外,该系列为CoolMOS CE,该器件提供500 mOhms Rds漏极-源极电阻,该器件具有18.7 nC的Qg栅极电荷,Pd功耗为57 W,零件别名为IPP50R500CEXK IPP500CEXKSA1 SP000939326,封装为管,封装外壳为TO-220-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,它的最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为7.6 A,配置为单一。
IPP50R520是INFINEON制造的MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220。IPP50R520采用TO-220-3封装,是FET的一部分-单个,支持MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220。