特色
- RDS（开启）=4.6mΩ （典型）@VGS=10V，ID=80A
- 用于极低RDS的高性能沟槽技术（开启）
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合AEC Q101
- 符合RoHS
应用
- AC-DC商用电源
- 运动控制-工业电机
- 其他工业
- 不间断电源
FDB5800_F085
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、80A（Tc） 最大功耗: 242W（Tc） 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥19.19369
-
数量:
- +
- 总计: ¥19.19
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规格参数
- 高度（英寸） -
- 容量 (磅) -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 到263-3，DPak（2根引线+接线片），TO-263AB
- 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 最大功耗 242W（Tc）
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 135 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 6毫欧姆 @ 80A, 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Ta）、80A（Tc）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6625 pF @ 15 V
- 材质 -
FDB5800_F085 产品详情
N沟道逻辑电平PowerTrench®MOSFET 60V，80A，6mΩ，最新的屏蔽栅PowerTrench™MOSFET结合了较小的QSYNC和软反向恢复本征体二极管性能以及快速开关，可以显著提高同步整流的效率。
FDB5800_F085 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDBD-25S(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB RCPT PNL MNT | ¥81.12048 |
| FDBD-25P(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25PF(55) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥76.19531 |
| FDBD-25P-CTK1(50) | 广赖 (Hirose) | CONN LP D-SUB PLUG PNL MNT | ¥339.64855 |
| FDBD-25PF-610A220(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥295.98835 |
| FDBD-25S-562A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥165.71755 |
| FDBD-25S-562A360(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥349.7017 |
| FDBD-25S-562A660(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥213.17303 |
| FDBD-25S-610A260(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥87.23349 |
| FDBD-25S-610A600(50) | 广赖 (Hirose) | CONNECTOR | ¥285.86278 |
FDB5800_F085所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDB5800_F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDB5800_F085价格参考￥19.193685，你可以下载 FDB5800_F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDB5800_F085规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
