9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDB8878，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDB8878参考价格$3.382。onsemi FDB8878封装/规格：MOSFET N-CH 30V 48A TO263。您可以下载FDB8878英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDB8870_F085带有引脚细节，包括卷筒包装，设计用于0.046296盎司单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供160 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为47 ns，上升时间为98 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为23 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
FDB8874是FAIRCHILD制造的MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AB。FDB8874可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 121A TO-263AA、N沟道30V 21A（Ta）、121A（Tc）110W（Tc。
FDB8876是由FAI制造的MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK。FDB8876可用于TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK、N沟道30V 71B（Tc）70W（Tc）表面安装TO-263AA。
