特色
- 3.0安培,80伏
- RDS(开启)=77 mΩ@VGS=10 V
- RDS(开启)=88 mΩ@VGS=6 V
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
- 低栅极电荷(典型13nC)
- 高功率和电流处理能力
- 快速切换速度
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。
起订量: 1
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