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FDC3512_F095

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥59.40627
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥59.41
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 6V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80 V
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3A (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 634 pF @ 40 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 77毫欧姆 @ 3A, 10V

FDC3512_F095 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。它已针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。

特色

  • 3.0安培,80伏
  • RDS(开启)=77 mΩ@VGS=10 V
  • RDS(开启)=88 mΩ@VGS=6 V
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 低栅极电荷(典型13nC)
  • 高功率和电流处理能力
  • 快速切换速度

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC3512_F095所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC3512_F095 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC3512_F095价格参考¥59.406266,你可以下载 FDC3512_F095中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC3512_F095规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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