9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7794DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7794DP-T1-GE3参考价格$5.09。Vishay Siliconix SI7794DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 28.6A/60A PPAK。您可以下载SI7794DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7788DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8，包括卷轴封装，它们设计用于SI7788DP GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SO-8，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有5.2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为18 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为29.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为3.1mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为45ns，典型接通延迟时间为44ns，沟道模式为增强。
SI7790DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8，包括25 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如42 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为34 ns，器件的漏极-源极电阻为4.5 mOhms，Pd功耗为5.2 W，零件别名为SI779DP-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为25.3 A，下降时间为28 ns，配置为单四漏三源，通道模式为增强。
SI7792DP-T1-GE3是MOSFET 30伏特60安培104瓦，包括单肖特基二极管配置，它们设计为在12纳秒的下降时间下工作，数据表注释中显示了83 S中使用的最小正向跨导，该83 S提供Id连续漏极电流特性，如60 a，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，该装置也可用作SO-8包装箱。此外，封装为Reel，该器件以SI7792DP-GE3部件别名提供，该器件具有104W的Pd功耗，Qg栅极电荷为90nC，Rds漏极-源极电阻为1.7mOhm，上升时间为13ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为15ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V。
Si7790DP-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。Si7790DP-T1-E3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
