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FDC640P_F095
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FDC640P_F095

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W（Ta） 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥8.59008
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥8.59
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Ta)
  • 最大功耗 1.6W（Ta）
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 53毫欧姆 @ 4.5A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 890 pF @ 10 V

FDC640P_F095 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • -4.5 A，-20 V。
  • RDS（开）=0.053Ω@VGS=-4.5 V
  • RDS（开）=0.080Ω@VGS=-2.5 V
  • 坚固的门额定值（±12V）
  • 快速切换速度
  • 用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术

应用

  • 本产品通用，适用于许多不同的应用。

FDC640P_F095 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
FDC658P_NB4E011FDC658P_NB4E011安盛美 (onsemi)IC AUDIO JACK DETECTION SUPERSOT¥0.32968
FDCD-37PF-610A100FDCD-37PF-610A100广赖 (Hirose)CONNECTOR¥53.36569
FDC021N30FDC021N30安盛美 (onsemi)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥3.33173
FDC37C653QFPFDC37C653QFPFLOPPY DISK CONTROLLER¥38.31494
FDC37M813QFPFDC37M813QFPPC98/99 COMPLIANT ENHANCED SUPER¥16.87596
FDC37C65BLJPFDC37C65BLJP2.88MB FLOPPY DISK CONTROLLER¥43.52983
FDC37B777QFPFDC37B777QFPENHANCED SUPER I/O CONTROLLER¥35.99721
FDC92C39BTPFDC92C39BTPENHANCED FLOPPY DISK INTERFACE¥84.81436
FDC37C669FRQFPFDC37C669FRQFPSUPER I/O WITH LPC INTERFACE¥35.99721
FDC6332LFDC6332L安盛美 (onsemi)开关种类: 一般用途 输出类别: P-通道 输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 高端 负载电压: 1.8伏~8伏 供应商设备包装: SuperSOT-6.¥21.00441
FDC640P_F095所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDC640P_F095 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDC640P_F095价格参考￥8.590079，你可以下载 FDC640P_F095中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDC640P_F095规格参数、现货库存、封装信息等信息！

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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